Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7855TRPBF
IRF7855TRPBF

IRF7855TRPBF Infineon Technologies

irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7855TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.

Інші пропозиції IRF7855TRPBF за ціною від 37.76 грн до 187.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 8296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.66 грн
10+82.81 грн
100+65.90 грн
500+51.01 грн
1000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 25913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.17 грн
10+99.48 грн
100+58.51 грн
500+47.47 грн
1000+42.55 грн
2000+39.73 грн
4000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF INFINEON irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.89 грн
50+120.61 грн
250+82.87 грн
1000+58.05 грн
2000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 8296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.66 грн
10+82.81 грн
100+65.90 грн
500+51.01 грн
1000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 25913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.17 грн
10+99.48 грн
100+58.51 грн
500+47.47 грн
1000+42.55 грн
2000+39.73 грн
4000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b
IRF7855TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.89 грн
50+120.61 грн
250+82.87 грн
1000+58.05 грн
2000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.