Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7855TRPBF
IRF7855TRPBF

IRF7855TRPBF Infineon Technologies

infineonirf7855datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7855TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.

Інші пропозиції IRF7855TRPBF за ціною від 46.88 грн до 173.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+87.65 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.16 грн
500+96.45 грн
1000+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.11 грн
10+116.64 грн
100+82.08 грн
500+63.95 грн
1000+56.85 грн
2000+48.40 грн
4000+47.85 грн
8000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+170.11 грн
122+116.64 грн
173+82.08 грн
500+63.95 грн
1000+56.85 грн
2000+48.40 грн
4000+47.85 грн
8000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.58 грн
10+107.23 грн
100+73.17 грн
500+54.96 грн
1000+50.56 грн
2000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 25663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF International Rectifier HiRel Products irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF infineonirf7855datasheetv0101en.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF infineonirf7855datasheetv0101en.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
499+87.65 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF infineonirf7855datasheetv0101en.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+107.16 грн
500+96.45 грн
1000+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF infineonirf7855datasheetv0101en.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+170.11 грн
10+116.64 грн
100+82.08 грн
500+63.95 грн
1000+56.85 грн
2000+48.40 грн
4000+47.85 грн
8000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF infineonirf7855datasheetv0101en.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+170.11 грн
122+116.64 грн
173+82.08 грн
500+63.95 грн
1000+56.85 грн
2000+48.40 грн
4000+47.85 грн
8000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.58 грн
10+107.23 грн
100+73.17 грн
500+54.96 грн
1000+50.56 грн
2000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 25663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7855TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7855TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.