Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7855TRPBF
IRF7855TRPBF

IRF7855TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7855TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF7855TRPBF за ціною від 32.28 грн до 183.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.22 грн
8000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+40.26 грн
8000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
408+74.76 грн
500+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.32 грн
250+72.29 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+147.68 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.72 грн
50+110.32 грн
250+72.29 грн
1000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+161.43 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN-3363201.pdf MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 43555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.25 грн
10+112.25 грн
100+74.12 грн
250+64.14 грн
500+59.23 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.39 грн
10+113.45 грн
100+77.58 грн
500+58.38 грн
1000+53.74 грн
2000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF Виробник : Infineon irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=60V Id=12A P=2.5W Rds=0,0074 Ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.88 грн
10+134.55 грн
100+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7855pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7855pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.