Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7855TRPBF
IRF7855TRPBF

IRF7855TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7855TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRF7855TRPBF за ціною від 33.26 грн до 154.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7855-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+59.11 грн
1000+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+61.38 грн
1000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.36 грн
500+60.89 грн
1000+47.99 грн
5000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+91.81 грн
500+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.32 грн
10+85.62 грн
100+68.13 грн
500+52.74 грн
1000+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN-3363201.pdf MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 37051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.73 грн
10+93.91 грн
100+65.71 грн
500+53.91 грн
1000+51.80 грн
2000+48.24 грн
4000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS08103-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0094 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.53 грн
10+99.24 грн
100+82.36 грн
500+60.89 грн
1000+47.99 грн
5000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+154.24 грн
120+100.94 грн
130+93.67 грн
200+77.71 грн
500+70.44 грн
1000+54.40 грн
2000+51.01 грн
4000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACE545C2EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7855pbf.pdf?ci_sign=b22b7175e73c8569212aaa050adf69f108f47aab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7855datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACE545C2EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7855pbf.pdf?ci_sign=b22b7175e73c8569212aaa050adf69f108f47aab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.