IRF7855TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7855TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.
Інші пропозиції IRF7855TRPBF за ціною від 46.36 грн до 172.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 |
на замовлення 6060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg |
на замовлення 24387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm |
на замовлення 14179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7855TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm |
на замовлення 14179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7855TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 54.02 грн |
| 8000+ | 52.72 грн |
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 54.73 грн |
| 8000+ | 53.42 грн |
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 499+ | 86.36 грн |
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 330+ | 106.92 грн |
| 500+ | 96.23 грн |
| 1000+ | 88.75 грн |
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 168.80 грн |
| 129+ | 109.59 грн |
| 174+ | 81.22 грн |
| 500+ | 63.24 грн |
| 1000+ | 56.22 грн |
| 2000+ | 47.86 грн |
| 4000+ | 47.30 грн |
| 8000+ | 46.36 грн |
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 170.17 грн |
| 10+ | 110.49 грн |
| 100+ | 81.89 грн |
| 500+ | 63.76 грн |
| 1000+ | 56.68 грн |
| 2000+ | 48.25 грн |
| 4000+ | 47.69 грн |
| 8000+ | 46.74 грн |
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
на замовлення 6060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.47 грн |
| 10+ | 106.97 грн |
| 50+ | 81.26 грн |
| 100+ | 68.47 грн |
| 500+ | 54.81 грн |
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 12A 9.4mOhm 26nC Qg
на замовлення 24387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
Description: INFINEON - IRF7855TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 9400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 14179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7855TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 330+ | 106.92 грн |





