Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7862TRPBF
IRF7862TRPBF

IRF7862TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7862TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7862TRPBF за ціною від 25.71 грн до 116.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.14 грн
8000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON 708823.pdf Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.54 грн
500+38.39 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+53.03 грн
298+41.08 грн
307+39.78 грн
500+31.45 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 10249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.88 грн
10+60.85 грн
100+43.06 грн
500+31.69 грн
1000+28.87 грн
2000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON 708823.pdf Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.86 грн
13+67.67 грн
100+47.54 грн
500+38.39 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7862_DataSheet_v01_01_EN-3363143.pdf MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.73 грн
10+74.37 грн
100+44.29 грн
500+35.02 грн
1000+32.08 грн
2000+29.65 грн
4000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7862pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7862pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.