IRF7862TRPBF

IRF7862TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7862TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7862TRPBF за ціною від 23.84 грн до 115.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.09 грн
8000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.53 грн
8000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.06 грн
8000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.15 грн
500+37.45 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+60.27 грн
255+47.91 грн
260+46.93 грн
500+35.22 грн
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 10249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.34 грн
10+62.99 грн
100+44.58 грн
500+32.80 грн
1000+29.89 грн
2000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7862_DataSheet_v01_01_EN-3363143.pdf MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.63 грн
10+66.13 грн
100+40.21 грн
500+32.29 грн
1000+29.40 грн
2000+27.72 грн
4000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.35 грн
12+71.77 грн
100+50.15 грн
500+37.45 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d IRF7862TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.