IRF7862TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7862TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7862TRPBF за ціною від 24.02 грн до 121.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7862TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V |
на замовлення 10249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg |
на замовлення 8051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7862TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7862TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7862TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |