Технічний опис IRF7901D1 IOR
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції IRF7901D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7901D1 | Виробник : IOR |
 09+ |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7901D1 | Виробник : IOR |
09+ SO-8 |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7901D1 | Виробник : IR |
0433 |
на замовлення 986 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7901D1 | Виробник : IR |
07+ SO-8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7901D1 | Виробник : IR |
SO-8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF7901D1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|
 |
IRF7901D1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |