IRF7904TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 20.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7904TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7904TRPBF за ціною від 22.32 грн до 102.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7904TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7904TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7904TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 48596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7904TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7904TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7904TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 48648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7904TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7904TRPBF Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRF7904TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W, 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7904TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W, 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |