IRF7905TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7905TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF7905TRPBF за ціною від 25.09 грн до 85.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF7905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF7905TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF7905TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF7905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A |
на замовлення 7593 шт: термін постачання 280-289 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF7905TRPBF | Виробник : IOR |
|
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| IRF7905TRPBF | Виробник : IOR |
09+ |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| IRF7905TRPBF | Виробник : IR |
|
на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
IRF7905TRPBF Код товару: 111317 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||
 |
IRF7905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IRF7905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |