IRF7907TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.23 грн |
| 8000+ | 23.53 грн |
| 12000+ | 23.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7907TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0098 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7907TRPBF за ціною від 26.59 грн до 118.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7907TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0098 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 43724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 6457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7907TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0098 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7907TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A |
товару немає в наявності |