IRF7946TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4800+ | 63.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7946TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7946TRPBF за ціною від 69.87 грн до 205.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7946TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7946TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7946TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V |
на замовлення 58515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7946TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7946TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 198A 1.5mOhm 141nC StrongIRFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7946TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; 96W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 198A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 96W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |