Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8010STRLPBF
IRF8010STRLPBF

IRF8010STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf8010s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8010STRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF8010STRLPBF за ціною від 72.43 грн до 240.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
153+83.78 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+114.64 грн
4800+104.76 грн
7200+97.47 грн
9600+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8010S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.49 грн
10+124.03 грн
100+85.02 грн
500+82.66 грн
800+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.15 грн
10+150.48 грн
100+104.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+148.86 грн
500+133.98 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8010sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8010s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.