Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8113TRPBF
IRF8113TRPBF

IRF8113TRPBF Infineon Technologies

irf8113.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8113TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF8113TRPBF за ціною від 17.94 грн до 46.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
542+22.48 грн
552+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 542
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.48 грн
25+29.22 грн
100+23.26 грн
250+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.54 грн
500+27.14 грн
1000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.62 грн
100+30.54 грн
500+27.14 грн
1000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8113_DataSheet_v01_01_EN-3363254.pdf MOSFETs MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.41 грн
10+45.58 грн
100+27.15 грн
500+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.