Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8113TRPBF
IRF8113TRPBF

IRF8113TRPBF Infineon Technologies

irf8113.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8113TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm.

Інші пропозиції IRF8113TRPBF за ціною від 16.59 грн до 71.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.46 грн
8000+ 21.43 грн
12000+ 21.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.06 грн
8000+ 23.02 грн
12000+ 23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+29.8 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.93 грн
21+ 28.16 грн
25+ 27.88 грн
100+ 23.58 грн
250+ 21.62 грн
500+ 19.39 грн
1000+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
385+30.33 грн
389+ 30.03 грн
444+ 26.34 грн
448+ 25.14 грн
500+ 21.75 грн
1000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 385
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8113_DataSheet_v01_01_EN-3363254.pdf MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
на замовлення 7878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.08 грн
11+ 27.88 грн
100+ 22.58 грн
500+ 22.31 грн
1000+ 20.78 грн
2000+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
342+34.14 грн
378+ 30.93 грн
399+ 29.28 грн
500+ 27.76 грн
1000+ 24.49 грн
4000+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 342
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 0.0047 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+58.05 грн
16+ 48.41 грн
100+ 32.5 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.79 грн
10+ 50.15 грн
100+ 34.72 грн
500+ 27.22 грн
1000+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 135A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Description: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 135A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній