Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8113TRPBF
IRF8113TRPBF

IRF8113TRPBF Infineon Technologies

irf8113.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8113TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF8113TRPBF за ціною від 27.97 грн до 27.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Infineon Technologies irf8113.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF INFINEON IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF INFINEON IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF Infineon Technologies irf8113.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF description irf8113.pdf
IRF8113TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF description IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8113TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF description IRSDS10297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8113TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8113TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.2 A, 5600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF description irf8113.pdf
IRF8113TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.