IRF820 ST
Код товару: 220162
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: SOT-23
Uds,V: 500 V
Idd,A: 0,17 A
Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 29/1,4
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF820 ST
- Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
- Case style: TO-220 (a)
- Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
- Current, Idm pulse: 10A
- Power, Pd: 40W @ 25`C
- Resistance, Rds on: 3R
- Transistor polarity: N Channel
- Voltage, Vds max: 500V
- Manufacturer, abbreviated: IR
- Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
- Pitch, lead: 2.54mm
- Power dissipation: 40W @ 25`C
- Temperature, current: 25`C
- Temperature, power rating: 25`C
- Transistors, number of: 1
Можливі заміни IRF820 ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF820 Код товару: 214393
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 2,5 A Rds(on), Ohm: 3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/24 Монтаж: THT |
у наявності: 46 шт
32 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF820 за ціною від 30.71 грн до 82.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF820 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 370 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IRF820 | Виробник : Harris Corporation |
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
на замовлення 4085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF820 | Виробник : HARRIS |
IRF820 |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF820 | Виробник : HARRIS |
IRF820 |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|