Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF820 ST
IRF820

IRF820 ST

IRF820.pdf
Код товару: 220162
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 0,17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 29/1,4
Монтаж: SMD
у наявності: 20 шт
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820 ST

  • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
  • Case style: TO-220 (a)
  • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
  • Current, Idm pulse: 10A
  • Power, Pd: 40W @ 25`C
  • Resistance, Rds on: 3R
  • Transistor polarity: N Channel
  • Voltage, Vds max: 500V
  • Manufacturer, abbreviated: IR
  • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
  • Pitch, lead: 2.54mm
  • Power dissipation: 40W @ 25`C
  • Temperature, current: 25`C
  • Temperature, power rating: 25`C
  • Transistors, number of: 1

Можливі заміни IRF820 ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF820 IRF820
Код товару: 214393
Додати до обраних Обраний товар
Siliconix IRF820-siliconix.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 2,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
  • 32 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+23.00 грн
10+20.90 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820
Код товару: 214393
Додати до обраних Обраний товар
description IRF820-siliconix.pdf
IRF820
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 2,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
  • 32 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+23.00 грн
10+20.90 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF820 за ціною від 30.17 грн до 82.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF820 IRF820 Siliconix info-tirf820.pdf description N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
1000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf description IRF820
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+82.53 грн
500+74.28 грн
1000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 description info-tirf820.pdf
IRF820
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
343+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
Виробник: HARRIS
IRF820
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+82.53 грн
500+74.28 грн
1000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 description HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf
Виробник: HARRIS
IRF820
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+82.53 грн
500+74.28 грн
1000+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.