IRF820

IRF820 Siliconix


IRF820-siliconix.pdf
Код товару: 214393
Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
у наявності 100 шт:

80 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+23.00 грн
10+20.90 грн
100+18.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF820 Siliconix

  • Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
  • Case style: TO-220 (a)
  • Current, Id cont: 2.5A @ 25`C
  • Current, Idm pulse: 10A
  • Power, Pd: 40W @ 25`C
  • Resistance, Rds on: 3R
  • Transistor polarity: N Channel
  • Voltage, Vds max: 500V
  • Manufacturer, abbreviated: IR
  • Pin format: 1 g 2 d/tab 3 s
  • Pitch, lead: 2.54mm
  • Power dissipation: 40W @ 25`C
  • Temperature, current: 25`C
  • Temperature, power rating: 25`C
  • Transistors, number of: 1

Інші пропозиції IRF820 за ціною від 19.30 грн до 72.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF820 IRF820
Код товару: 17799
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR IRF820.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 Виробник : Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf N-MOSFET 3A 500V 50W 3Ω IRF820 TIRF820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 Виробник : ONSEMI HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF820 - IRF820, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
611+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 611
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 Виробник : Harris Corporation HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
412+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 Виробник : HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf IRF820
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+72.05 грн
500+64.85 грн
1000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 Виробник : HARRIS HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf IRF820
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
429+72.05 грн
500+64.85 грн
1000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 429
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 IRF820 Виробник : Vishay 91057.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 IRF820 Виробник : Vishay Siliconix 91059.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 IRF820 Виробник : STMicroelectronics en.CD00001545.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 IRF820 Виробник : Vishay / Siliconix HRISSA16-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91059.pdf en.CD00001545.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 IRF820 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00001545.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 4 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820 IRF820 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16141112277657.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.