Продукція > INFINEON > IRF8301MTRPBF
IRF8301MTRPBF

IRF8301MTRPBF INFINEON

INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+87.05 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8301MTRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021), Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції IRF8301MTRPBF за ціною від 74.01 грн до 204.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF8301MTRPBF IRF8301MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.75 грн
10+157.88 грн
100+127.46 грн
500+87.05 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF INFN-S-A0012826800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8301MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+204.75 грн
10+157.88 грн
100+127.46 грн
500+87.05 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.