IRF8301MTRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 197+ | 179.12 грн |
| 500+ | 161.56 грн |
| 1000+ | 148.69 грн |
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Технічний опис IRF8301MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021), Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Інші пропозиції IRF8301MTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IRF8301MTRPBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 3965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRF8301MTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 89W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 3965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF8301MTRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DirectFET MT
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
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Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF8301MTRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IRF8301MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 192 A, 1500 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DirectFET MT
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)