IRF8302MTRPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8302MTRPBF - IRF8302 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 222+ | 109.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8302MTRPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF8302MTRPBF за ціною від 155.56 грн до 155.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 3121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 4423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET |
товару немає в наявності |