Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8306MTRPBF
IRF8306MTRPBF

IRF8306MTRPBF Infineon Technologies

irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+113.78 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8306MTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF8306MTRPBF за ціною від 106.46 грн до 151.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Виробник : Infineon Technologies 595irf8306mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+151.50 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS19263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF8306MTRPBF - IRF8306 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+106.46 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Виробник : Infineon Technologies 595irf8306mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8306MTRPBF IRF8306MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8306mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d29371d5f Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.