IRF830A
Код товару: 63499
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830A
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:5A
- On State Resistance:1.4ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:500V
- Max Voltage Vgs th:4V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:74W
- Power Dissipation Pd:74W
- Pulse Current Idm:20A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF830A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830A | Виробник : IR |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF830A | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF830A | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 |
товару немає в наявності |