IRF8313TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 19.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8313TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF8313TRPBF за ціною від 21.19 грн до 76.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A |
на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8313TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF8313TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8313TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF8313TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 9,7; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 15; Qg, нКл = 9 @ 4,5 В; Rds = 15,5 мОм @ 9,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,35 @ 25 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 963 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRF8313TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF8313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF8313TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF8313TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9.7A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |