Продукція > VISHAY > IRF840ASTRLPBF
IRF840ASTRLPBF

IRF840ASTRLPBF Vishay


sihf840.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840ASTRLPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF840ASTRLPBF за ціною від 91.96 грн до 210.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+113.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+122.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.42 грн
10+126.45 грн
100+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.28 грн
10+144.67 грн
100+97.85 грн
500+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : VISHAY irf840as_IRF840al.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Виробник : VISHAY irf840as_IRF840al.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.