IRF8513PBF
Код товару: 26536
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 8-11 A
Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 766/5,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF8513PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8513PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/11A 8-Pin SOIC |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF8513PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W, 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF8513PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC |
товару немає в наявності |