IRF8707PBF
Код товару: 39735
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 760/6,2
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 6.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8707PBF IR
- MOSFET, N SO-8
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:30V
- On State Resistance:0.0119ohm
- Transistor Case Style:SO
- Case Style:SO-8 (SOIC-8)
- Cont Current Id:11A
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:88A
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Charge Qrr @ Tj = 25`C:6.2nC
- Typ Voltage Vds:30V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Voltage Vds:30V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF8707PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8707PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF8707PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V SINGLE N-CH 11.9mOhms 6.2nC |
товару немає в наявності |