IRF8707TR UMW
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8707TR UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IRF8707TR за ціною від 39.65 грн до 39.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8707TR | Виробник : International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|