Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8707TRPBF
IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf8707-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8707TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF8707TRPBF за ціною від 11.48 грн до 65.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1389+17.66 грн
10000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 43405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1389+17.66 грн
10000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8707_DataSheet_v01_01_EN-3363241.pdf MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
на замовлення 52898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.82 грн
10+38.02 грн
100+22.88 грн
500+17.98 грн
1000+13.09 грн
4000+13.01 грн
8000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002373290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+65.22 грн
500+40.62 грн
1000+26.24 грн
4000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+65.22 грн
500+40.62 грн
1000+26.24 грн
4000+25.14 грн
8000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002373290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF Виробник : Vishay/IR irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b IRF8707PBF SOIC-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.