Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8707TRPBF
IRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF Infineon Technologies

irfh8330pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1736+20.24 грн
10000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 1736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8707TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF8707TRPBF за ціною від 26.34 грн до 74.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Infineon Technologies irfh8330pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+74.74 грн
500+46.55 грн
1000+30.06 грн
4000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Infineon Technologies irfh8330pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+74.74 грн
500+46.55 грн
1000+30.06 грн
4000+28.81 грн
8000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF INFINEON INFN-S-A0002373290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF irfh8330pbf.pdf
IRF8707TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
215+74.74 грн
500+46.55 грн
1000+30.06 грн
4000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF irfh8330pbf.pdf
IRF8707TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
241+74.74 грн
500+46.55 грн
1000+30.06 грн
4000+28.81 грн
8000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF INFN-S-A0002373290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8707TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF INFN-S-A0002373290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8707TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0093 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.