IRF8714TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8714TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF8714TRPBF за ціною від 13.60 грн до 104.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V |
на замовлення 7390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg |
на замовлення 50495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V |
на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon |
SO-8 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC Qg Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF8714TRPBF Код товару: 197544
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF8714TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W |
товару немає в наявності |