IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.30 грн |
| 500+ | 21.30 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF8714TRPBFXTMA1 за ціною від 13.10 грн до 67.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 2739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |