Технічний опис IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm.
Інші пропозиції IRF8714TRPBFXTMA1 за ціною від 23.36 грн до 105.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 481+ | 29.34 грн |
| 500+ | 28.29 грн |
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.90 грн |
| 12+ | 37.25 грн |
| 100+ | 23.36 грн |
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 105.22 грн |
| 10+ | 63.69 грн |
| 50+ | 47.43 грн |
| 100+ | 39.58 грн |
| 500+ | 30.91 грн |
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)