IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 57.56 грн |
| 13+ | 33.60 грн |
| 100+ | 21.72 грн |
| 250+ | 18.58 грн |
| 500+ | 16.63 грн |
| 1000+ | 15.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF8714TRPBFXTMA1 за ціною від 11.49 грн до 70.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 93 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.25 грн |
| 10+ | 37.93 грн |
| 100+ | 21.43 грн |
| 500+ | 16.70 грн |
| 1000+ | 15.08 грн |
| 2000+ | 13.67 грн |
| 4000+ | 11.49 грн |
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 70.31 грн |
| 19+ | 43.58 грн |
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 7100 µohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.74 грн |
| IRF8714TRPBFXTMA1 |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.40 грн |
| 10+ | 40.16 грн |
| 100+ | 26.05 грн |
| 500+ | 18.76 грн |
| 1000+ | 16.92 грн |
| 2000+ | 15.38 грн |





