Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8714TRPBFXTMA1
IRF8714TRPBFXTMA1

IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

irf8714pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
481+25.74 грн
500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 481
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF8714TRPBFXTMA1 за ціною від 12.45 грн до 70.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980136.pdf Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.96 грн
500+20.68 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.25 грн
12+33.49 грн
62+15.11 грн
171+14.24 грн
2000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.78 грн
10+37.95 грн
100+24.68 грн
500+17.94 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8714pbf-1.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.45 грн
10+41.10 грн
100+23.22 грн
500+18.10 грн
1000+16.34 грн
2000+14.82 грн
4000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.91 грн
10+41.73 грн
62+18.14 грн
171+17.09 грн
2000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980136.pdf Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.33 грн
20+44.46 грн
100+28.96 грн
500+20.68 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8714-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8714pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.