IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 481+ | 25.37 грн |
| 500+ | 24.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF8714TRPBFXTMA1 за ціною від 12.41 грн до 70.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8714TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0071 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF8714TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |