IRF8721TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 18.32 грн |
| 8000+ | 16.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8721TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF8721TRPBF за ціною від 13.2 грн до 90.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V |
на замовлення 11247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 8.3nC Qg |
на замовлення 3158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRF8721TRPBF Код товару: 59622 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |