
IRF8721TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 17.31 грн |
8000+ | 15.03 грн |
12000+ | 14.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8721TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF8721TRPBF за ціною від 15.85 грн до 81.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V |
на замовлення 9404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF Код товару: 59622
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF8721TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W |
товару немає в наявності |