IRF8721TRPBFXTMA1

IRF8721TRPBFXTMA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8721TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF8721TRPBFXTMA1 за ціною від 19.38 грн до 80.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.58 грн
17+48.82 грн
100+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
10+49.00 грн
100+32.20 грн
500+23.41 грн
1000+21.22 грн
2000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies IRF8721TRPBFXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8721pbf_1-3223521.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.