Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8734TRPBF
IRF8734TRPBF

IRF8734TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8734TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції IRF8734TRPBF за ціною від 25.02 грн до 125.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.84 грн
8000+29.55 грн
12000+28.50 грн
20000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.71 грн
56000+38.12 грн
84000+35.46 грн
112000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.84 грн
375+37.81 грн
377+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.14 грн
20+39.03 грн
25+38.64 грн
100+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+44.89 грн
1000+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
на замовлення 115430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.54 грн
10+76.56 грн
100+51.35 грн
500+38.02 грн
1000+34.74 грн
2000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF8734_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.84 грн
8000+29.55 грн
12000+28.50 грн
20000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+41.71 грн
56000+38.12 грн
84000+35.46 грн
112000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
323+43.84 грн
375+37.81 грн
377+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.14 грн
20+39.03 грн
25+38.64 грн
100+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
788+44.89 грн
1000+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
на замовлення 115430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.54 грн
10+76.56 грн
100+51.35 грн
500+38.02 грн
1000+34.74 грн
2000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF Infineon_IRF8734_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF infineon-irf8734-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8734TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.