Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8788PBF

IRF8788PBF

Name: IRF8788PBF
Brand: IR
SKU: 32111
Price: 30.6 UAH
Availability: InStock

irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84

Код товару: 32111

Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD

у наявності 20 шт:

20 шт - склад

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	34 грн
10+	30.6 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF8788PBF IR

MOSFET, N-CH, 30V, SO8
Transistor Polarity:N
On State Resistance:2.3mohm
Power Dissipation:2.5W
Transistor Case Style:SO
Case Style:SO-8
Cont Current Id:24A
Max Voltage Vgs th:2.35V
Min Voltage Vgs th:1.35V
Pulse Current Idm:190A
Termination Type:SMD
Transistor Type:MOSFET
Typ Voltage Vds:30V
Typ Voltage Vgs th:1.8V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF8788PBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRF8788PBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V	товар відсутній
IRF8788PBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC	товар відсутній
IRF8788PBF	Виробник : Infineon (IRF)	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced	товар відсутній

З цим товаром купують

IRF8736TRPBF
Код товару: 25137

Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Монтаж: SMD

у наявності: 320 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	15 грн
10+	13.5 грн
100+	12.2 грн

IRL5602S
Код товару: 26008

Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 20 V
Id,A: 24 A
Rds(on),Om: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1460/44
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD

у наявності: 56 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	27.5 грн
10+	24.8 грн

BZV55-C5V1
Код товару: 4297

Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K

у наявності: 1028 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	2 грн
10+	1.5 грн
100+	1.3 грн
1000+	1.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

15pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N150J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 3918

Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0603
Ємність: 15 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0603

очікується: 8000 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	0.5 грн
100+	0.35 грн
1000+	0.3 грн

Мінімальне замовлення: 10

200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-200KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3540

Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 200 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805

у наявності: 6695 шт

очікується: 10000 шт

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	0.15 грн
1000+	0.12 грн
10000+	0.09 грн

Мінімальне замовлення: 100