Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8788PBF
IRF8788PBF

IRF8788PBF

irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
Код товару: 32111
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 24 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5720/44
Монтаж: SMD
у наявності: 68 шт
  • 18 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8788PBF IR

  • MOSFET, N-CH, 30V, SO8
  • Transistor Polarity:N
  • On State Resistance:2.3mohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SO
  • Case Style:SO-8
  • Cont Current Id:24A
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • Min Voltage Vgs th:1.35V
  • Pulse Current Idm:190A
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF8788PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8788PBF IRF8788PBF Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 description Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788PBF IRF8788PBF Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-1228213.pdf description MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788PBF description irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
IRF8788PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788PBF description Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-1228213.pdf
IRF8788PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BDW94C (TO-220, ST)
Код товару: 1600
1 Додати до обраних Обраний товар
BDW93C,94B,94C.pdf
BDW94C (TO-220, ST)
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Напруга Uке, В: 100 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 12 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 20000
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 211 шт
  • 200 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SB882
Код товару: 15197
Додати до обраних Обраний товар
2SB882.pdf
2SB882
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, МГц: 20 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 70 В
Струм Iк, А: 10 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 5000
Примітка: Дарлінгтон
у наявності: 32 шт
  • 3 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PQ12RF21
Код товару: 27265
Додати до обраних Обраний товар
pq12rf21.pdf
PQ12RF21
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220-4
Напруга входу Uin, В: 35 В
Напруга виходу Uout, В: 12 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Падіння напруги Udrop, В: 0,5 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: -20...80°С
Монтаж: THT
у наявності: 97 шт
  • 85 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+62.00 грн
10+52.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A
Код товару: 34127
Додати до обраних Обраний товар
fds9926a-d.pdf
FDS9926A
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 6,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,03 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 700/7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 256 шт
  • 209 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM317AEMP/NOPB
Код товару: 34268
3 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm317a
LM317AEMP/NOPB
Виробник: TI
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 40 В
Напруга виходу Uout, В: 1,2...37 В
Струм виходу Iout, А: 1 А
Тип виходу: Регульований
Монтаж: SMD
у наявності: 134 шт
  • 26 шт - склад
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 35 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+42.00 грн
10+37.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.