Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF8788TRPBF

IRF8788TRPBF

irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
Код товару: 202860
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF8788TRPBF за ціною від 26.41 грн до 64.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.18 грн
10+36.39 грн
100+31.05 грн
500+28.98 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies infineonirf8788datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+64.34 грн
269+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
на замовлення 12806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF infineonirf8788datasheetv0101en.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF infineonirf8788datasheetv0101en.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF infineonirf8788datasheetv0101en.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF infineonirf8788datasheetv0101en.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.18 грн
10+36.39 грн
100+31.05 грн
500+28.98 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF infineonirf8788datasheetv0101en.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+64.34 грн
269+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
на замовлення 12806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.