Інші пропозиції IRF8788TRPBF за ціною від 32.81 грн до 135.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V |
на замовлення 4029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg |
на замовлення 10358 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF8788TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 34.61 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 44.58 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 44.58 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 255+ | 57.52 грн |
| 257+ | 56.94 грн |
| 293+ | 49.89 грн |
| 296+ | 47.63 грн |
| 500+ | 35.56 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 68.23 грн |
| 14+ | 57.52 грн |
| 25+ | 56.94 грн |
| 100+ | 48.11 грн |
| 250+ | 44.10 грн |
| 500+ | 34.13 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.99 грн |
| 11+ | 77.80 грн |
| 100+ | 61.51 грн |
| 500+ | 49.55 грн |
| 1000+ | 43.43 грн |
| 2000+ | 38.81 грн |
| 4000+ | 35.92 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 107.99 грн |
| 188+ | 77.80 грн |
| 238+ | 61.51 грн |
| 500+ | 49.55 грн |
| 1000+ | 43.43 грн |
| 2000+ | 38.81 грн |
| 4000+ | 35.92 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.76 грн |
| 10+ | 80.30 грн |
| 100+ | 53.91 грн |
| 500+ | 39.98 грн |
| 1000+ | 36.56 грн |
| 2000+ | 34.11 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
на замовлення 10358 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.98 грн |
| 10+ | 67.11 грн |
| 100+ | 50.63 грн |
| 500+ | 40.16 грн |
| 1000+ | 39.57 грн |
| 4000+ | 32.89 грн |
| 8000+ | 32.81 грн |
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF8788TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 2800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






