Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8788TRPBF
IRF8788TRPBF

IRF8788TRPBF Infineon Technologies

irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8788TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF8788TRPBF за ціною від 24.27 грн до 89.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.21 грн
25+30.79 грн
100+29.28 грн
250+26.74 грн
500+25.30 грн
1000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
383+31.81 грн
389+31.32 грн
417+29.21 грн
1000+26.29 грн
4000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
363+33.61 грн
368+33.16 грн
373+32.70 грн
378+31.09 грн
500+28.39 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 363
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.97 грн
500+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5720 pF @ 15 V
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+46.71 грн
100+36.68 грн
500+32.74 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8788_DataSheet_v01_01_EN-3363144.pdf MOSFETs MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg
на замовлення 25158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.85 грн
10+54.64 грн
25+47.29 грн
100+37.34 грн
250+37.12 грн
500+34.00 грн
1000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09939-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8788TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.0023 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.94 грн
15+58.21 грн
100+42.97 грн
500+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF
Код товару: 202860
Додати до обраних Обраний товар

irf8788pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610cc961d84 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf8788-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.