IRF8910PBF
Код товару: 32112
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,0134 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 960/7,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF8910PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF8910PBF | Виробник : International Rectifier |
SO8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRF8910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF8910PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC |
товару немає в наявності |