Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF8910TRPBF
IRF8910TRPBF

IRF8910TRPBF Infineon Technologies

Infineon_IRF8910_DataSheet_v01_01_EN-3363145.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.46 грн
10+43.77 грн
100+31.63 грн
500+28.04 грн
1000+23.69 грн
2000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8910TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF8910TRPBF за ціною від 19.99 грн до 88.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.26 грн
16+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 10 A, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0107ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf8910pbf.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 10, Rds = 14,6 мОм, Ugs(th) = 1,65...2,65 @ Uds = Ugs, 250 uA, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf8910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.