Продукція > INFINEON > IRF8910TRPBFXTMA1
IRF8910TRPBFXTMA1

IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON

3980138.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.48 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF8910TRPBFXTMA1 за ціною від 27.45 грн до 110.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980138.pdf Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.39 грн
16+52.53 грн
100+41.91 грн
500+33.48 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.35 грн
10+67.05 грн
100+44.58 грн
500+32.80 грн
1000+29.90 грн
2000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910pbf_1-3223558.pdf MOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.