Продукція > INFINEON > IRF8910TRPBFXTMA1
IRF8910TRPBFXTMA1

IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON

Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF8910TRPBFXTMA1 за ціною від 31.45 грн до 87.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.80 грн
15+59.22 грн
100+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8910pbf_1-3223558.pdf MOSFETs Y
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.