Технічний опис IRF8915PBF Infineon / IR
Description: HEXFET POWER MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF8915PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF8915PBF | Виробник : IOR |
 0748+ |
на замовлення 666 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF8915PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N |
товару немає в наявності |
|
| IRF8915PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |