IRF8915TRPBF

IRF8915TRPBF Infineon Technologies


irf8915.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+21.47 грн
50+20.66 грн
100+19.10 грн
250+18.30 грн
500+18.26 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8915TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF8915TRPBF за ціною від 19.63 грн до 79.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8915.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
527+23.16 грн
528+23.12 грн
529+23.08 грн
530+22.21 грн
531+20.52 грн
532+19.67 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91 Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
на замовлення 14211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
681+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 681
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.40 грн
500+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS09563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.70 грн
19+45.23 грн
100+35.40 грн
500+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF8915_DataSheet_v01_01_EN-1226979.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.91 грн
10+70.56 грн
100+47.82 грн
250+47.23 грн
500+39.21 грн
1000+31.19 грн
2500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 71A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 18.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 71A
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8915.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91 Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91 Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 71A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 18.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 71A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.