Інші пропозиції IRF9310TRPBF за ціною від 46.94 грн до 141.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
IRF9310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| IRF9310TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 15, Qg, нКл = 165 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вимкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IRF9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IRF9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IRF9310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IRF9310TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| SHF-001T-0.8BS CONN TERM CRIMP NH 22-28AWG Код товару: 84577
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SYM-001T-P0.6 Контакт; "тато"; 0,08 ÷ 0,33мм2; 28 ÷ 22AWG; RCY, SM, YL; луджені; обтиск Код товару: 143860
Додати до обраних
Обраний товар
|
у наявності: 27 шт
27 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 6.50 грн |
| 10 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-10R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3661
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 11665 шт
2150 шт - склад
1380 шт - РАДІОМАГ-Київ
7545 шт - РАДІОМАГ-Львів
590 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1380 шт - РАДІОМАГ-Київ
7545 шт - РАДІОМАГ-Львів
590 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 87107 шт
76000 шт - склад
4607 шт - РАДІОМАГ-Київ
3200 шт - РАДІОМАГ-Львів
3300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4607 шт - РАДІОМАГ-Київ
3200 шт - РАДІОМАГ-Львів
3300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| SMBJ18A-TR Код товару: 26341
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 21,1 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 18 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 21,1 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 18 V
Струм витоку, Irm: 1 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 3371 шт
2992 шт - склад
99 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
162 шт - РАДІОМАГ-Харків
93 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
99 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
162 шт - РАДІОМАГ-Харків
93 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.30 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
| 1000+ | 3.20 грн |







