Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9310TRPBF
IRF9310TRPBF

IRF9310TRPBF Infineon Technologies

infineonirf9310datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
366+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 366
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9310TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9310TRPBF за ціною від 31.20 грн до 154.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356110a7d1d95 Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.90 грн
8000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : INFINEON 610313.pdf Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9310datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
483+64.11 грн
537+57.70 грн
1000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 483
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9310datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.52 грн
250+65.96 грн
1000+44.31 грн
2000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.66 грн
10+76.13 грн
50+53.78 грн
100+46.46 грн
250+39.14 грн
500+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356110a7d1d95 Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 16939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.04 грн
10+78.52 грн
100+52.73 грн
500+39.12 грн
1000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.59 грн
10+94.87 грн
50+64.53 грн
100+55.75 грн
250+46.97 грн
500+42.10 грн
1000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF9310-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.99 грн
10+87.65 грн
100+50.86 грн
500+40.17 грн
1000+36.81 грн
2000+36.27 грн
4000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.20 грн
50+98.52 грн
250+65.96 грн
1000+44.31 грн
2000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF
Код товару: 185610
Додати до обраних Обраний товар

irf9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356110a7d1d95 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9310datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9310datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.