Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9317TRPBF
IRF9317TRPBF

IRF9317TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9317TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9317TRPBF за ціною від 21.85 грн до 89.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.74 грн
250+39.20 грн
1000+27.51 грн
2000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.97 грн
10+53.64 грн
100+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+83.42 грн
154+79.70 грн
250+76.50 грн
500+71.10 грн
1000+63.69 грн
2500+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.48 грн
50+52.74 грн
250+39.20 грн
1000+27.51 грн
2000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9317_DataSheet_v01_01_EN-3363336.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.26 грн
10+56.77 грн
100+34.72 грн
500+30.97 грн
1000+27.59 грн
2000+24.72 грн
4000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+89.82 грн
143+85.81 грн
250+82.36 грн
500+76.55 грн
1000+68.57 грн
2500+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.