Продукція > INFINEON > IRF9317TRPBF
IRF9317TRPBF

IRF9317TRPBF INFINEON


610314.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9317TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9317TRPBF за ціною від 18.15 грн до 116.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfi4019hg117p.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.74 грн
8000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfi4019hg117p.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.89 грн
8000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.09 грн
250+38.13 грн
1000+25.54 грн
2000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF9317-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.94 грн
10+45.90 грн
100+29.28 грн
500+23.23 грн
1000+21.14 грн
2000+19.26 грн
4000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+90.87 грн
50+52.09 грн
250+38.13 грн
1000+25.54 грн
2000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfi4019hg117p.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+95.41 грн
154+91.15 грн
250+87.49 грн
500+81.32 грн
1000+72.85 грн
2500+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfi4019hg117p.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+111.64 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfi4019hg117p.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+116.57 грн
126+111.35 грн
250+106.89 грн
500+99.35 грн
1000+88.99 грн
2500+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF Виробник : International Rectifier infineon-irf9317-datasheet-en.pdf SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.