Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9317TRPBF
IRF9317TRPBF

IRF9317TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.2 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9317TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm.

Інші пропозиції IRF9317TRPBF за ціною від 21.96 грн до 93.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+26.58 грн
8000+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.17 грн
8000+ 25.84 грн
12000+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.21 грн
8000+ 25.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+28.49 грн
8000+ 26.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON 610314.pdf Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
311+37.66 грн
313+ 37.47 грн
352+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 311
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+39.42 грн
17+ 34.97 грн
25+ 34.79 грн
100+ 29.78 грн
250+ 21.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.43 грн
250+ 42.39 грн
1000+ 32.06 грн
2000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+63.81 грн
50+ 46.43 грн
250+ 42.39 грн
1000+ 32.06 грн
2000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+65.33 грн
204+ 57.44 грн
232+ 50.51 грн
243+ 46.55 грн
500+ 40.75 грн
1000+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9317_DataSheet_v01_01_EN-3363336.pdf MOSFET MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm
на замовлення 10942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.07 грн
10+ 51.52 грн
100+ 35.78 грн
500+ 33.78 грн
1000+ 27.51 грн
2000+ 25.9 грн
4000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99 Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 21928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.61 грн
10+ 53.69 грн
100+ 41.74 грн
500+ 33.2 грн
1000+ 27.04 грн
2000+ 25.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+80.01 грн
154+ 76.43 грн
250+ 73.37 грн
500+ 68.19 грн
1000+ 61.08 грн
2500+ 56.9 грн
Мінімальне замовлення: 147
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+93.61 грн
131+ 89.42 грн
250+ 85.84 грн
500+ 79.78 грн
1000+ 71.46 грн
2500+ 66.58 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній