IRF9317TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9317TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm.
Інші пропозиції IRF9317TRPBF за ціною від 18.35 грн до 112.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 28.05 грн |
| 8000+ | 26.06 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 28.21 грн |
| 8000+ | 26.19 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.16 грн |
| 250+ | 38.97 грн |
| 1000+ | 25.60 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm
MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.87 грн |
| 10+ | 46.42 грн |
| 100+ | 29.61 грн |
| 500+ | 23.49 грн |
| 1000+ | 21.38 грн |
| 2000+ | 19.48 грн |
| 4000+ | 18.35 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 94.35 грн |
| 50+ | 59.16 грн |
| 250+ | 38.97 грн |
| 1000+ | 25.60 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 147+ | 96.49 грн |
| 154+ | 92.18 грн |
| 250+ | 88.48 грн |
| 500+ | 82.24 грн |
| 1000+ | 73.67 грн |
| 2500+ | 68.62 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 97.78 грн |
| 234+ | 60.51 грн |
| 236+ | 59.91 грн |
| 238+ | 57.20 грн |
| 310+ | 40.77 грн |
| 324+ | 37.37 грн |
| 500+ | 29.86 грн |
| 1000+ | 26.65 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 138+ | 102.60 грн |
| 144+ | 98.01 грн |
| 250+ | 94.08 грн |
| 500+ | 87.45 грн |
| 1000+ | 78.33 грн |
| 2500+ | 72.97 грн |
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 125+ | 112.90 грн |





