Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9321TRPBF
IRF9321TRPBF

IRF9321TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9321-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9321TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9321TRPBF за ціною від 19.03 грн до 93.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.43 грн
8000+19.23 грн
12000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : INFINEON 3739373.pdf Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.23 грн
500+27.13 грн
1000+21.60 грн
5000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+46.36 грн
275+44.49 грн
500+42.89 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
222+54.99 грн
250+52.78 грн
500+50.88 грн
1000+47.46 грн
2500+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 222
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : INFINEON irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0072 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.03 грн
50+44.69 грн
250+33.24 грн
1000+22.29 грн
2000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9321_DataSheet_v01_01_EN-3363162.pdf MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
на замовлення 19842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.37 грн
10+59.65 грн
100+38.01 грн
500+30.77 грн
1000+23.84 грн
2000+22.62 грн
4000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.92 грн
10+57.04 грн
100+37.61 грн
500+27.44 грн
1000+24.91 грн
2000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF
Код товару: 173434
Додати до обраних Обраний товар

irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF519FDEBBF1A303005056AB0C4F&compId=irf9321pbf.pdf?ci_sign=e55e1a56517797e636b823a1005718be3fe04559 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF519FDEBBF1A303005056AB0C4F&compId=irf9321pbf.pdf?ci_sign=e55e1a56517797e636b823a1005718be3fe04559 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.