Технічний опис IRF9321TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Case: SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Drain current: 15A.
Інші пропозиції IRF9321TRPBFXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IRF9321TRPBFXTMA1 |
товару немає в наявності |
||
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
товару немає в наявності |
||
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain current: 15A |
товару немає в наявності |