Продукція > UMW > IRF9328TR
IRF9328TR

IRF9328TR UMW

0c5e2f208195d78f64d8d23c8c9b37d2.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.70 грн
10+57.55 грн
100+37.96 грн
500+27.71 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9328TR UMW

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

Інші пропозиції IRF9328TR за ціною від 32.04 грн до 32.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9328TR Виробник : Infineon 0c5e2f208195d78f64d8d23c8c9b37d2.pdf P-MOSFET 30V 12A 11.9mΩ 2.5W IRF9328 Inernational Rectifier TIRF9328
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TR IRF9328TR Виробник : UMW 0c5e2f208195d78f64d8d23c8c9b37d2.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.