IRF9328TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF9328TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 40.89 грн |
| 500+ | 33.38 грн |
| 1000+ | 26.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9328TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF9328TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції IRF9328TRPBF за ціною від 26.06 грн до 81.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9328TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9328TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF9328TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9328TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |