IRF9332TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 519+ | 23.81 грн |
| 524+ | 23.57 грн |
| 530+ | 23.33 грн |
| 535+ | 22.27 грн |
| 540+ | 20.42 грн |
| 1000+ | 19.40 грн |
| 3000+ | 19.21 грн |
| 6000+ | 19.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9332TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF9332TRPBF за ціною від 20.59 грн до 36.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9332TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 6201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF9332TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRF9332TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl |
на замовлення 3989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF9332TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.5W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRF9332TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF9332TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF9332TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |