Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9332TRPBF
IRF9332TRPBF

IRF9332TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9332-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
519+27.09 грн
524+26.81 грн
530+26.54 грн
535+25.34 грн
540+23.23 грн
1000+22.08 грн
3000+21.86 грн
6000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9332TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF9332TRPBF за ціною від 21.86 грн до 38.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF Infineon Technologies infineon-irf9332-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.68 грн
28+27.09 грн
50+25.86 грн
100+23.70 грн
250+22.53 грн
500+22.30 грн
1000+22.08 грн
3000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF Infineon / IR Infineon_IRF9332_DataSheet_v01_01_EN-1228383.pdf MOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF infineon-irf9332-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9332TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.68 грн
28+27.09 грн
50+25.86 грн
100+23.70 грн
250+22.53 грн
500+22.30 грн
1000+22.08 грн
3000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF Infineon_IRF9332_DataSheet_v01_01_EN-1228383.pdf
IRF9332TRPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF INFN-S-A0012838600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9332TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF INFN-S-A0012838600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9332TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.