IRF9333PBF
Код товару: 84989
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 16.20 грн |
| 100+ | 14.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF9333PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9333 Код товару: 190631
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMicro |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14 Монтаж: SMD |
у наявності: 100 шт
60 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF9333PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9333PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF9333PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC |
товару немає в наявності |