IRF9335TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 14.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9335TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF9335TRPBF за ціною від 13.89 грн до 73.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 19514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 20008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 260985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9335TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V |
на замовлення 10917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF9335TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF9335TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.4A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |