Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9358TRPBF
IRF9358TRPBF

IRF9358TRPBF Infineon Technologies

irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.68 грн
8000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9358TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9358TRPBF за ціною від 26.70 грн до 131.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9358-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9358-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9358-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9358-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1999+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 1999
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF9358-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.69 грн
10+74.39 грн
100+44.73 грн
500+35.14 грн
1000+32.15 грн
2000+31.31 грн
4000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5 Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 9133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.54 грн
10+70.10 грн
100+46.77 грн
500+34.51 грн
1000+31.49 грн
2000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837875-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.06 грн
50+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+131.80 грн
100+125.90 грн
250+120.85 грн
500+112.33 грн
1000+100.62 грн
2500+93.74 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9358-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9358-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837875-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF
Код товару: 189100
Додати до обраних Обраний товар

irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AFE6B19E50F1A303005056AB0C4F&compId=irf9358pbf.pdf?ci_sign=2603984b04ac0777b4f4d8423a7f0c4913626159 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.