Інші пропозиції IRF9358TRPBF за ціною від 24.47 грн до 148.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9358TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 123110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb |
на замовлення 3778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9358TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 36.63 грн |
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 36.82 грн |
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 644+ | 54.81 грн |
| 1000+ | 50.56 грн |
| 10000+ | 45.06 грн |
| 100000+ | 36.42 грн |
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 79.01 грн |
| 250+ | 52.43 грн |
| 1000+ | 34.97 грн |
| 2000+ | 30.59 грн |
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.20 грн |
| 10+ | 68.18 грн |
| 100+ | 41.00 грн |
| 500+ | 32.21 грн |
| 1000+ | 29.47 грн |
| 2000+ | 28.69 грн |
| 4000+ | 24.47 грн |
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 116+ | 121.74 грн |
| 168+ | 84.31 грн |
| 240+ | 58.88 грн |
| 500+ | 45.90 грн |
| 1000+ | 38.35 грн |
| 2000+ | 35.38 грн |
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.71 грн |
| 50+ | 79.01 грн |
| 250+ | 52.43 грн |
| 1000+ | 34.97 грн |
| 2000+ | 30.59 грн |
| IRF9358TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 148.65 грн |





