IRF9358TRPBF


irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5
Код товару: 189100
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9358TRPBF за ціною від 24.47 грн до 148.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.81 грн
1000+50.56 грн
10000+45.06 грн
100000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF INFINEON irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5 Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.01 грн
250+52.43 грн
1000+34.97 грн
2000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF9358-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.20 грн
10+68.18 грн
100+41.00 грн
500+32.21 грн
1000+29.47 грн
2000+28.69 грн
4000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.74 грн
168+84.31 грн
240+58.88 грн
500+45.90 грн
1000+38.35 грн
2000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF INFINEON irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5 Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.71 грн
50+79.01 грн
250+52.43 грн
1000+34.97 грн
2000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF Infineon Technologies infineonirf9358datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+148.65 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF infineonirf9358datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF infineonirf9358datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF infineonirf9358datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
644+54.81 грн
1000+50.56 грн
10000+45.06 грн
100000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+79.01 грн
250+52.43 грн
1000+34.97 грн
2000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF Infineon-IRF9358-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.20 грн
10+68.18 грн
100+41.00 грн
500+32.21 грн
1000+29.47 грн
2000+28.69 грн
4000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF infineonirf9358datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
116+121.74 грн
168+84.31 грн
240+58.88 грн
500+45.90 грн
1000+38.35 грн
2000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.71 грн
50+79.01 грн
250+52.43 грн
1000+34.97 грн
2000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF infineonirf9358datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
95+148.65 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.