Інші пропозиції IRF9358TRPBF за ціною від 24.20 грн до 146.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 123110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb |
на замовлення 3778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF9358TRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9358TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |