Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9362TRPBF
IRF9362TRPBF

IRF9362TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9362TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9362TRPBF за ціною від 17.29 грн до 88.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.71 грн
8000+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+33.79 грн
21+29.54 грн
25+29.24 грн
100+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7 Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.18 грн
250+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9362_DataSheet_v01_01_EN-3363103.pdf MOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
на замовлення 13573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.51 грн
10+55.11 грн
100+33.61 грн
500+27.23 грн
1000+24.29 грн
2000+24.07 грн
4000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7 Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.24 грн
50+53.18 грн
250+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 47240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
10+53.51 грн
100+35.21 грн
500+25.68 грн
1000+23.30 грн
2000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9362pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9362pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.