Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9362TRPBF
IRF9362TRPBF

IRF9362TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9362TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF9362TRPBF за ціною від 20.17 грн до 65.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.68 грн
8000+ 23.55 грн
12000+ 22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.43 грн
250+ 35.08 грн
1000+ 24.61 грн
2000+ 22.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9362_DataSheet_v01_01_EN-3363103.pdf MOSFET Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.85 грн
10+ 43.26 грн
100+ 30.72 грн
500+ 26.76 грн
1000+ 22.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
218+54.95 грн
248+ 48.26 грн
282+ 42.48 грн
295+ 39.13 грн
500+ 34.28 грн
1000+ 31.2 грн
4000+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 218
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+56.73 грн
214+ 56.17 грн
278+ 43.04 грн
281+ 41.09 грн
500+ 31.88 грн
1000+ 21.72 грн
Мінімальне замовлення: 211
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+58.05 грн
50+ 41.43 грн
250+ 35.08 грн
1000+ 24.61 грн
2000+ 22.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.03 грн
10+ 48.93 грн
100+ 38.05 грн
500+ 30.26 грн
1000+ 24.65 грн
2000+ 23.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+65.66 грн
12+ 52.67 грн
25+ 52.16 грн
100+ 38.54 грн
250+ 35.33 грн
500+ 28.42 грн
1000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9362-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9362pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9362pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній