Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9362TRPBF
IRF9362TRPBF

IRF9362TRPBF Infineon Technologies

irf9362pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+23.12 грн
34+22.75 грн
100+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9362TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9362TRPBF за ціною від 17.58 грн до 97.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Infineon Technologies irf9362pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Infineon Technologies irf9362pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.29 грн
250+40.37 грн
1000+26.51 грн
2000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF9362-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.33 грн
10+50.63 грн
100+28.76 грн
500+23.49 грн
1000+21.38 грн
2000+19.48 грн
4000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Infineon Technologies irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.03 грн
10+52.57 грн
100+34.60 грн
500+25.23 грн
1000+22.89 грн
2000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Infineon Technologies irf9362pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.38 грн
164+86.34 грн
250+82.88 грн
500+77.03 грн
1000+69.00 грн
2500+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.64 грн
50+61.29 грн
250+40.37 грн
1000+26.51 грн
2000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Infineon Technologies irf9362pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF Infineon Technologies irf9362pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9362TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.29 грн
250+40.37 грн
1000+26.51 грн
2000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF Infineon-IRF9362-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.33 грн
10+50.63 грн
100+28.76 грн
500+23.49 грн
1000+21.38 грн
2000+19.48 грн
4000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561158c41da7
IRF9362TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.03 грн
10+52.57 грн
100+34.60 грн
500+25.23 грн
1000+22.89 грн
2000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
157+90.38 грн
164+86.34 грн
250+82.88 грн
500+77.03 грн
1000+69.00 грн
2500+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9362TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.64 грн
50+61.29 грн
250+40.37 грн
1000+26.51 грн
2000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.