IRF9383MTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 86.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9383MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9383MTRPBF за ціною від 75.46 грн до 218.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
на замовлення 8628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9383MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
на замовлення 8628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF9383MTRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |