Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9389TRPBF
IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9389TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF9389TRPBF за ціною від 10.09 грн до 53.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.65 грн
8000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.78 грн
8000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
723+16.84 грн
728+16.74 грн
1000+16.33 грн
16000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 723
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.61 грн
250+18.64 грн
1000+14.44 грн
2000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.50 грн
50+23.61 грн
250+18.64 грн
1000+14.44 грн
2000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.07 грн
14+28.27 грн
49+18.29 грн
134+17.31 грн
500+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9389_DataSheet_v01_01_EN-3363163.pdf MOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
на замовлення 37113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.89 грн
10+33.71 грн
100+21.41 грн
500+16.25 грн
1000+13.28 грн
4000+10.59 грн
8000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.89 грн
10+35.23 грн
49+21.95 грн
134+20.77 грн
500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.38 грн
10+31.90 грн
100+20.59 грн
500+14.74 грн
1000+12.79 грн
2000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF
Код товару: 98277
Додати до обраних Обраний товар

irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.