Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF9389TRPBF
IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF

irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf
Код товару: 98277
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF9389TRPBF за ціною від 9.98 грн до 62.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.14 грн
8000+11.63 грн
12000+11.12 грн
20000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.73 грн
250+25.00 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.72 грн
498+28.45 грн
616+22.98 грн
1000+19.48 грн
2000+15.77 грн
4000+13.54 грн
8000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+50.25 грн
13+33.94 грн
50+23.59 грн
100+20.11 грн
250+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9389_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.83 грн
10+34.12 грн
100+19.24 грн
500+15.15 грн
1000+13.18 грн
2000+11.91 грн
4000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 75036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.51 грн
100+22.28 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
2000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.49 грн
50+38.73 грн
250+25.00 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf
IRF9389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+13.14 грн
8000+11.63 грн
12000+11.12 грн
20000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.73 грн
250+25.00 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF irf9389pbf.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
348+40.72 грн
498+28.45 грн
616+22.98 грн
1000+19.48 грн
2000+15.77 грн
4000+13.54 грн
8000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF irf9389pbf.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
314+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+50.25 грн
13+33.94 грн
50+23.59 грн
100+20.11 грн
250+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF Infineon_IRF9389_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.83 грн
10+34.12 грн
100+19.24 грн
500+15.15 грн
1000+13.18 грн
2000+11.91 грн
4000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf
IRF9389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 75036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.88 грн
10+34.51 грн
100+22.28 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
2000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+62.49 грн
50+38.73 грн
250+25.00 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.