Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9389TRPBF
IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9389TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9389TRPBF за ціною від 11.10 грн до 61.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.96 грн
8000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.54 грн
8000+12.15 грн
24000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.39 грн
8000+12.98 грн
24000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+47.09 грн
377+33.00 грн
542+22.97 грн
1000+20.31 грн
4000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.90 грн
13+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.43 грн
10+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.48 грн
10+40.31 грн
50+26.98 грн
100+23.00 грн
250+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9389_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
на замовлення 40205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.50 грн
10+37.59 грн
100+21.19 грн
500+16.69 грн
1000+14.52 грн
2000+13.12 грн
4000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF
Код товару: 98277
Додати до обраних Обраний товар

irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.