IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf9389-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9389TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9389TRPBF за ціною від 9.22 грн до 66.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.79 грн
8000+11.33 грн
12000+10.82 грн
20000+9.63 грн
28000+9.31 грн
40000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.54 грн
250+26.95 грн
1000+17.10 грн
2000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.92 грн
13+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 80178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.75 грн
10+33.45 грн
100+21.60 грн
500+15.46 грн
1000+13.91 грн
2000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF9389TRPBF.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.70 грн
10+41.17 грн
50+27.55 грн
100+23.49 грн
250+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9389_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.81 грн
10+38.39 грн
100+21.64 грн
500+17.05 грн
1000+14.83 грн
2000+13.40 грн
4000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9389pbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+65.03 грн
314+40.56 грн
500+28.28 грн
1000+25.23 грн
2000+23.21 грн
4000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13404-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.97 грн
50+41.54 грн
250+26.95 грн
1000+17.10 грн
2000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF
Код товару: 98277
Додати до обраних Обраний товар

irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.