IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 22.02 грн |
| 50+ | 17.49 грн |
| 100+ | 15.89 грн |
| 200+ | 14.28 грн |
| 250+ | 14.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9393TRPBF за ціною від 13.41 грн до 56.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9393TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9393TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 25635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9393TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9393TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9393TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs |
на замовлення 12392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF9393TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF9393TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9393TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |