IRF9393TRPBF Infineon Technologies


irf9393pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
286+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9393TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9393TRPBF за ціною від 40.36 грн до 52.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.04 грн
284+49.95 грн
500+48.15 грн
1000+44.92 грн
2500+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF INFINEON irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF INFINEON irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
286+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
272+52.04 грн
284+49.95 грн
500+48.15 грн
1000+44.92 грн
2500+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.