Технічний опис IRF9393TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF9393TRPBF за ціною від 40.36 грн до 52.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9393TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF9393TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF9393TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF9393TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9393TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 286+ | 49.50 грн |
| IRF9393TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 272+ | 52.04 грн |
| 284+ | 49.95 грн |
| 500+ | 48.15 грн |
| 1000+ | 44.92 грн |
| 2500+ | 40.36 грн |
| IRF9393TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9393TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




