Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9393TRPBF
IRF9393TRPBF

IRF9393TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf9393-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9393TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9393TRPBF за ціною від 13.27 грн до 59.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.50 грн
8000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
556+22.39 грн
644+19.32 грн
758+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 556
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 48810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
556+22.39 грн
644+19.32 грн
758+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 556
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9393-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf9393-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
337+36.94 грн
450+27.67 грн
455+27.38 грн
547+21.96 грн
1000+16.20 грн
3000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 337
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : INFINEON irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.20 грн
250+29.70 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+45.76 грн
284+43.92 грн
500+42.34 грн
1000+39.49 грн
2500+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.34 грн
13+32.05 грн
50+22.78 грн
100+19.66 грн
250+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF9393_DataSheet_v01_01_EN-3363270.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs
на замовлення 12392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.96 грн
10+38.47 грн
100+24.02 грн
500+18.95 грн
1000+17.34 грн
2000+15.88 грн
4000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.81 грн
10+39.94 грн
50+27.34 грн
100+23.59 грн
250+19.85 грн
500+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
10+37.81 грн
100+26.41 грн
500+19.92 грн
1000+16.56 грн
2000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : INFINEON irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.13 грн
50+40.20 грн
250+29.70 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.