IRF9530 Vishay
Код товару: 78154
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Id, A: 48 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530 Vishay
- MOSFET, P TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Cont Current Id:12A
- On State Resistance:0.3ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:100V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:75W
- Power Dissipation Pd:75W
- Pulse Current Idm:48A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRF9530 за ціною від 60.13 грн до 187.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9530 | Siliconix |
 P-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 239 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRF9530 | Harris Corporation |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRF9530 | HARRIS |
IRF9530 |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF9530 | HARRIS |
IRF9530 |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF9530 |
|
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 60.13 грн |
| IRF9530 |
|
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 151+ | 132.11 грн |