Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRLPBF

IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies

652infineon-irf9530ns.pdf-ds-v01_01-en.pdffileid5546d462533600a40153.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF9530NSTRLPBF за ціною від 31.03 грн до 149.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.34 грн
1600+36.28 грн
2400+35.09 грн
4000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 180800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+41.87 грн
2400+39.29 грн
4800+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 180800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.59 грн
2400+41.84 грн
4800+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.38 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.18 грн
10+79.73 грн
100+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-irf9530ns.pdf-DS-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.29 грн
10+88.47 грн
100+51.94 грн
800+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.52 грн
10+96.55 грн
50+80.83 грн
100+60.38 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B182AD9381F1A303005056AB0C4F&compId=irf9530nspbf.pdf?ci_sign=a436f2e5acc92f8ab7878b6b87b589830d094258 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B182AD9381F1A303005056AB0C4F&compId=irf9530nspbf.pdf?ci_sign=a436f2e5acc92f8ab7878b6b87b589830d094258 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.