Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRLPBF

IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies

infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF9530NSTRLPBF за ціною від 32.63 грн до 178.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.62 грн
1600+43.96 грн
2400+42.01 грн
4000+37.36 грн
5600+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.01 грн
250+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.51 грн
10+71.70 грн
50+55.70 грн
100+50.11 грн
250+43.76 грн
500+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+122.82 грн
172+82.10 грн
500+60.15 грн
800+51.76 грн
2400+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.48 грн
10+88.15 грн
100+51.34 грн
800+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 7967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.86 грн
10+95.38 грн
100+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.86 грн
10+114.04 грн
50+106.66 грн
100+71.01 грн
250+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.62 грн
1600+43.96 грн
2400+42.01 грн
4000+37.36 грн
5600+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.01 грн
250+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.51 грн
10+71.70 грн
50+55.70 грн
100+50.11 грн
250+43.76 грн
500+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF infineonirf9530ns.pdfdsv0101en.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+122.82 грн
172+82.10 грн
500+60.15 грн
800+51.76 грн
2400+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF Infineon_irf9530ns.pdf_DS_v01_01_EN.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.48 грн
10+88.15 грн
100+51.34 грн
800+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 7967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.86 грн
10+95.38 грн
100+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF INFN-S-A0002297163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.86 грн
10+114.04 грн
50+106.66 грн
100+71.01 грн
250+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.