Технічний опис IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Інші пропозиції IRF9530NSTRLPBF за ціною від 46.34 грн до 160.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 91200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 91200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 47.98 грн |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 91200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 55.60 грн |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 91200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 55.72 грн |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 139.48 грн |
| 10+ | 84.14 грн |
| 50+ | 65.01 грн |
| 100+ | 58.07 грн |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.95 грн |
| 10+ | 90.81 грн |
| 50+ | 68.58 грн |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 160.93 грн |
| 10+ | 92.98 грн |
| 100+ | 77.16 грн |
| 500+ | 62.04 грн |
| 800+ | 46.34 грн |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 160.93 грн |
| 152+ | 92.98 грн |
| 183+ | 77.16 грн |
| 500+ | 62.04 грн |
| 800+ | 46.34 грн |
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF9530NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)