IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 31.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9530NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF9530NSTRLPBF за ціною від 31.28 грн до 155.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 69600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 69600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 6808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC |
на замовлення 5102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9530NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -14A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |