IRF9540 SLKOR

Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540 SLKOR TIRF9540n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 23.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9540 SLKOR
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9540
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IRF9540 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF9540 | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF9540 | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF9540 | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF9540 | Виробник : Siliconix |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||
IRF9540 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
![]() |
IRF9540 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF9540 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF9540 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF9540 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |